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英飛凌與美超微通力協(xié)作

發(fā)布時(shí)間:2022-10-27 09:12:06

【2022年10月26日,德國(guó)慕尼黑訊】數(shù)字化開創(chuàng)了新紀(jì)元,未來隨著視頻流、線上會(huì)議、云服務(wù)、加密貨幣等大量數(shù)字應(yīng)用投入使用,全球數(shù)據(jù)量也將會(huì)成倍增長(zhǎng)。專家估計(jì)在未來15年內(nèi)數(shù)據(jù)將增長(zhǎng)146倍。美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)[1]預(yù)測(cè),全球數(shù)據(jù)量最早將于2025年達(dá)到175澤它字節(jié)(?175, 000,000,000,000,000,000,000字節(jié))。目前約有8000座數(shù)據(jù)中心正在對(duì)這一巨大的數(shù)據(jù)量進(jìn)行處理、存儲(chǔ)和連接。對(duì)這些數(shù)據(jù)中心而言,除性能與安全之外,能效的優(yōu)化對(duì)其保持盈利能力和實(shí)現(xiàn)可持續(xù)性也同樣至關(guān)重要。

 

 

云、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)、存儲(chǔ)和5G/邊緣整體IT方案供應(yīng)商電腦股份有限公司(Nasdaq代碼:SDCI)與科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)展開協(xié)作,利用的高效率產(chǎn)品,以滿足以上要求并實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的低碳化。服務(wù)器技術(shù)副總裁Manhtien Phan表示:“在開發(fā)平臺(tái)時(shí),我們會(huì)著重選擇與自身同樣重視通過優(yōu)化能效以減少耗電量的廠商。的解決方案與的技術(shù)結(jié)合,可減少系統(tǒng)功耗,降低數(shù)據(jù)中心的總體耗電量,最大程度地減少對(duì)環(huán)境的影響。”

 

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示:“冷卻系統(tǒng)的能耗占據(jù)了數(shù)據(jù)中心總體能耗的很大一部分。英飛凌的TDA21490和TDA21535節(jié)能型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品十分適用于減少數(shù)據(jù)中心的散熱問題。這類半導(dǎo)體產(chǎn)品可耐高溫并具備出色的可靠性,可助力服務(wù)器依靠自然空氣冷卻。使用這類半導(dǎo)體產(chǎn)品能幫助客戶進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心的電能效用,實(shí)現(xiàn)更高的能源利用效率。” 

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英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White

電源使用效率(PUE)的計(jì)算方式是將輸送到數(shù)據(jù)中心的總功率除以IT設(shè)備實(shí)際消耗的功率。理想的PUE值是1.0,即數(shù)據(jù)中心的全部電能都用于實(shí)際的計(jì)算設(shè)備中,而不是用于冷卻或電力轉(zhuǎn)換等間接設(shè)備。最新的研究表明[2],IT和數(shù)據(jù)中心經(jīng)理均表示其最大的數(shù)據(jù)中心的年平均PUE值為1.57,這項(xiàng)數(shù)據(jù)表明,面對(duì)超出預(yù)算的冷卻和電力成本,PUE仍有改進(jìn)的空間,同時(shí)二氧化碳排放量有望進(jìn)一步降低。

 

美超微的平臺(tái)可顯著改善PUE。具體而言,美超微MicroBlade®系列可為各種類型的處理器提供最佳的服務(wù)器密度,最多可在6U尺寸內(nèi)集成112個(gè)單路Atom®節(jié)點(diǎn)、56個(gè)單路Xeon®節(jié)點(diǎn)以及28個(gè)雙路Xeon®節(jié)點(diǎn),因此可以輕松進(jìn)行大規(guī)模部署,并通過自然空氣冷卻、電池備份電源(BBP®)等數(shù)據(jù)中心友好型功能和設(shè)計(jì)進(jìn)行批量配置。與標(biāo)準(zhǔn)的1U機(jī)架式服務(wù)器相比,MicroBlade最高可提升86%的功率效率與56%的服務(wù)器密度。 

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MicroBlade 6U

MicroBlade服務(wù)器采用英飛凌的OptiMOS™集成式TDA21490TDA21535。TDA21490可助力服務(wù)器、存儲(chǔ)器、人工智能和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的高性能xPU、ASIC和系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健、可靠的穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。TDA21490 采用高熱效封裝的 OptiMOS™ 功率 MOSFET,具有同類產(chǎn)品中最佳的效率。低靜態(tài)電流驅(qū)動(dòng)器可啟用深睡眠模式,進(jìn)一步提高輕載效率,還可以提供精準(zhǔn)的電流感測(cè),有助于大幅提升系統(tǒng)性能。除了強(qiáng)大的OptiMOS™ MOSFET技術(shù)外,TDA21490的綜合故障保護(hù)功能可進(jìn)一步增強(qiáng)其所在系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。 

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英飛凌OptiMOS™集成式TDA21490

TDA21535同時(shí)封裝了低靜態(tài)電流的同步降壓柵級(jí)驅(qū)動(dòng)IC與高邊、低邊MOSFET,并采用有源二極管結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了類似肖特基勢(shì)壘二極管的體二極管正向電壓(Vsd)低值,反向恢復(fù)電荷極少。與前沿的、基于控制器的感應(yīng)直流電阻測(cè)量方法相比,TDA21535中帶有溫度補(bǔ)償?shù)膬?nèi)部MOSFET電流測(cè)量算法具有較高的電流測(cè)量精度。在高達(dá)1.5兆赫茲的開關(guān)頻率下運(yùn)行,該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)高性能的瞬態(tài)響應(yīng),并且能夠在保持效率領(lǐng)先的同時(shí)減少電感和電容。

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英飛凌OptiMOS™集成式功率級(jí)半導(dǎo)體TDA21535

 


 

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